●EUV技術目前的定位困境

   由于193nm沉浸式工藝的延伸性非常強，同時EUV技術耗資巨大進展緩慢。現在各家廠商對于EUV光刻目前的應用，基本上可以用絕望來形容，但是對于這項技術未來的前景，所有開發商都從未放棄。EUV的問題到現在都還沒找到合適的快速穩定性變的光溶膠，找不到合適的光溶膠，刻深和侵蝕速率就沒辦法控制。

EUV技術所需要的掩膜

   各家廠商都清楚，半導體工藝向往下刻，使用EUV技術是必須的。而且EUV技術也能通過液相折射來降低波長，因為所有折射都可以降低波長，也就是說EUV技術可以有效拓展工藝深度。但是現在困擾光刻膠的問題不是波長，而是頻率，光的能量不夠，就沒辦法誘發反應。波長越短，頻率越高，光的能量正比于頻率，反比于波長。但是因為頻率過高，傳統的光溶膠直接就被打穿了。現在材料學，固體物理和凝聚態物理已經從全部方向上開始制約半導體工藝的發展了。

在45nm工藝的蝕刻方面，EUV技術已經展現出一些特點

   所以現在EVU技術要突破，從外部支持來講，要換光溶膠，但是合適的一直沒找到。而從EUV技術自身來講，同時盡可能的想辦法降低輸出能量。

   Intel和IBM還有AMD都已經用EVU蝕刻出一些圖案，問題是不是光刻出圖案就可以了，影響刻蝕質量的因素除了邊緣穩定性，還有刻深。

   EUV（極紫外線光刻技術）是下一代光刻技術（<32nm節點的光刻技術）。它是采用波長為13.4nm的軟x射線進行光刻的技術。英特爾、IBM是EUV光刻技術的積極支持者，ASML、尼康、佳能是EUV光刻機的開發商。根據2007年得到的資料，ASML已研制出2臺試用型EUV光刻機供32nnl工藝研發用，不作生產用，設備名稱AlphaDemoTool（ADT），價格6500萬美元。一臺給美國紐約州Albang大學納米科學與工程學院（CSNE），另一臺給比利時IMEC微電子中心。

   近年來，EUV光刻技術研究成果與戰績：

   1、2004年9月日本EUV光刻系統開發協會表示，正在瞄準CO2激光光源，它可降低激光成本20％。該協會正在研究2種光源，一是成本較高的激光產生的等離子，在中等聚焦下，消耗3.1W功率。若添加一個調壓放大器，將YAG激光功率從現在的1.3kW提高到1.5 kW，最終達4 kW 目標；二是存在碎片問題的放電產生等離子。

   2、2005年德國xfreme Tech公司開發出800W EUV光源，2010年可達1000W。

   3、2006年9月歐洲FocusGmH、Bielefeld大學和Maine大學聯合推出用于EUV光刻機的光致電子顯微鏡，它對芯片不產生破壞作用，測量精度可達20nm特征尺寸。它是歐洲委員會資助EUV開發MoreMoor項目，為期3年（2004~2006年），投資2325萬歐元。

臺積電公司訂購ASML公司極紫外光刻系統Twinscan NXE3100

   4、2006年12月ASML以2.7億美元收購半導體設計晶圓制造技術商BrionTech公司，后者致力于計算光刻市場，包括設計驗證、刻線增強技術和光學矯正等。

   目前EUV光刻技術存在的問題：
   造價太高，高達6500萬美元，比193nm ArF浸沒式光刻機貴；
   未找到合適的光源；
   沒有無缺陷的掩模；
   未研發出合適的光刻膠；
   人力資源缺乏；
   不能用于22nm工藝早期開發工作。

   雖然目前EUV光刻技術還存在不少問題，但業界并未對它判處“死刑”，但是Intel和IBM之前的表態，充分表明193 nmArF浸沒式光刻技術將成為32nm/22nm工藝的主流光刻技術，EUV要想發揮實力還得等待時機。