光刻膠也稱光致抗蝕劑（Photoresist,P.R.）。

1.光刻膠類型

凡是在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，以交聯反應為主的光刻膠稱為負性光刻膠，簡稱負膠。

凡是在能量束（光束、電子束、離子束等）的照射下，以交聯反應為主的光刻膠稱為正性光刻膠，簡稱正膠。

1.光刻膠特性

靈敏度

靈敏度太低會影響生產效率，所以通常希望光刻膠有較高的靈敏度。但靈敏度太高會影響分辨率。通常負膠的靈敏度高于正膠。

分辨率

光刻工藝中影響分辨率的因素有：光源、曝光方式和光刻膠本身（包括靈敏度、對比度、顆粒大小、顯影時的溶脹、電子散射等）。通常正膠的分辨率要高于負膠。

2.光刻膠材料

光刻膠通常有三種成分：感光化合物、基體材料和溶劑。在感光化合物中有時還包括增感劑。

3.1負性光刻膠

主要有聚肉桂酸系（聚酯膠）和環化橡膠系兩大類。

3.2正性光刻膠

主要以重氮醌為感光化合物，以酚醛樹脂為基體材料。最常用的有AZ 系列光刻膠。正膠的主要優點是分辨率高，缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。

3.3 負性電子束光刻膠

為含有環氧基、乙烯基或環硫化物的聚合物。

3.4 正性電子束光刻膠

主要為甲基丙烯甲酯、烯砜和重氮類這三種聚合物。最常用的是PMMA膠。PMMA膠的主要優點是分辨率高。主要缺點是靈敏度低，在高溫下易流動，耐干法刻蝕性差。

3.雙層光刻膠技術

隨著線條寬度的不斷縮小，為了防止膠上圖形出現太大的深寬比，提高對比度，應該采用很薄的光刻膠。但薄膠會遇到耐蝕性的問題。由此出現了雙層光刻膠技術，也就是超分辨率技術的組成部分。